SK海力士发力：国内DRAM内存产能大增

近日，韩国DRAM内存芯片巨头SK海力士宣布，位于江苏无锡的第二工厂(C2F)已经竣工，产出的第一批晶圆良品率也符合预期，计划今年5月正式投入量产。

SK海力士是江苏省单体投资规模最大的外企，双方合作已经超过14年，累计投资额超105亿美元。

就在日前，SK海力士刚刚宣布将一方面提高第一代10nm级工艺(1xnm)内存芯片的产能，另一方面今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片。

SK海力士无锡二厂项目2016年12月宣布，2017年10月签约，2017年6月开工，2018年11月开始设备迁入，总投资达86亿美元，其中16亿美元用于建设3.3万平米的新厂房和附属设施，70亿美元用于引入全球最先进的内存芯片生产设备。

作为现有工厂(C2)的延伸项目，新工厂建设周期2017-2026年，全部完成后将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10nm级别工艺内存芯片生产基地，月产能可达18万块300毫米晶圆，年销售额可达33亿美元。

目前，SK海力士占有中国内存芯片市场大约35％的份额，无锡二厂投用后预计可升至超过45％。