达尔闻-二极管、4个坑

一.二极管

1. 整流

Tip：有极压降，Si硅型0.6~0.8V，认为0.7；Ge锗为0.2V；还有Ga的 

 2. 利用正向导通后，电压不变的特性，可以做限幅

3. 利用二极管的反向击穿特性，可做稳压管

4. 发光二极管，即LED

5. 检波二极管

6.TVS管，瞬变电压抑制二极管，起快速过压的保护

二.4个坑

1.上电时序

导致输出错误；逻辑混乱；波形失真

输入IO口电压一定要晚于系统工作电压上电；ZYNQ上电要求；多级运放上电

2.器件封装功率上限的问题

电阻；功率器件；稳压电源芯片；

发烫甚至坏掉；MOS管、功率放大的热阻；78系列的封装直接影响电源输出功率大小

3.散热

芯片工作温度

4.环境干扰

干扰源；干扰途径；敏感对象

确定干扰源，线or器件；确定干扰途径，辐射or线路；确定电路板上被影响的敏感对象

堵：磁珠、PCB铺铜、屏蔽网

疏：合理位置接地，干扰引到地

三. MOS管的分类、重要参数、选型

结型场效应管JFET、MOSFET

MOSFET简单，方便集成；N沟道导通电阻小；工艺导致存在无法消除的寄生电容

最大流通电流、最大工作频率、输入电容、输出电容、导通电阻；

主要关注漏源之间的电压Vds（超过会雪崩）、开启电压Vgs（达到能导通）、

JFET的夹断电压

四. 三极管

共基、共集、共射

输入输出共用的一只脚，就是共X极放大电路，一般接地即是共X极；

共射，放大电流和电压、输出电阻大，用于低频电压放大；

共集，放大电流，用于电压跟随，一般使前后级电路之间的影响减到最小；

共基，放大电压，用于电流跟随，高频