ASML在财报中还披露,第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户,相比之前的NXE:3400C生产力提高了15-20%,覆盖率(套刻精度)提高了约30%。
不过,ASML未透露接收客户是哪一家。
ASML还表示,正努力增加EUV光刻机在存储行业的量产应用,计划协助三个DRAM内存芯片客户在未来的工艺节点中导入EUV。
ASML EUV光刻机目前还是第一代产品,EUV光源波长13.5nm左右,物镜NA数值孔径0.33,并发展了一系列型号。
最早量产出厂的是NXE:3400B,产能有限,晶圆产能只有125PWH,目前的出货主力是NXE:3400C,产能提升到135WPH,而最新的NXE:3600D产能进一步提升到160WPH,价格据说也达到了1.45亿美元(约合人民币9.38亿元)。
第二代EUV光刻机将会是NXE:5000系列,物镜NA提升到0.55,进一步提高光刻精度,但原计划2023年问世,现在推迟到2025-2026年,而价格预计将突破3亿美元。
第三季度,ASML预计净销售额52-54亿欧元,毛利率51-53%。
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