(来自:SK Hynix)
在 SK 海力士量产 DDR5 内存颗粒的同时,其合作伙伴也将于未来几个月内陆续发布首批 DDR5 内存模组。
值得一提的是,该公司将开始用极紫外光刻(EUV)技术来量产 1a nm 的 DRAM 内存颗粒,并专注于打造 64GB 以上的大容量服务器内存模组。
与 DDR4 内存相比,DDR5 将带宽轻松提升了一倍以上。回想从 DDR3 到 DDR4 的 2013 年,初期的内存带宽仅增加了 33%(1600 MHz 到 2133 MHz)。
随着 DDR5 量产时代的开启,SK 海力士希望将每个 DIMM 的带宽增加 50% 以上(目前普遍可达到 4800 MT/s)。在提升性能和容量的同时,还兼顾了能效与成本效益。
展望未来,其它内存制造商还致力于将 DDR5 内存模组的频率推升至 10000 MHz 以上。预计 2021 年内,我们就可看到 32 / 64 / 128GB 的单条容量,且速度在 4800 到 5600 MT/s 之间。
此前,美光的 DDR5 DRAM 颗粒已被英睿达、海盗船、金士顿、影驰、十铨、朗科、金邦、ZADAK、XPG、阿斯加特等内存模组制造商所采用。十铨曾表示,在液氮冷却的情况下,DDR5 内存电压还可提升至 2.6V 。
先前泄露的基准测试表明,DDR5 内存预计将带来较 DDR4 翻倍的性能提升。鉴于 DDR4 内存已经被人超频到了 7GHz 以上,我们对于 DDR5 时代的 10GHz 战绩也充满了期待。
访问:
原创文章,作者:奋斗,如若转载,请注明出处:https://blog.ytso.com/35288.html