韩媒称三星未定2nm投资计划 赶超台积电难度大

三星虽然已经开发出了2nm芯片，但尚未敲定投资计划。三星曾透露：“我们计划明年制造3nm GAA产品，并在2023年制造更先进的3nm GAA产品。”

今年5月，该公司曾宣布将投资170亿美元（约1098亿人民币）在美国建造能生产3nm的芯片代工厂，但目前三星还在考虑其工厂的具体选址。

对比来看，中国台湾环境影响评估审查委员会在本周三批准了台积电2nm芯片新厂建设。该新厂预计占地50英亩（约20公顷），将建在新竹工业园区，计划在2024年实现商业化量产。除了在本地建新厂，台积电也在考虑明年在美国亚利桑那州建设芯片厂，来生产3nm和4nm芯片。

一位业内人士称：“台积电在5nm和7nm芯片工艺技术商业化方面已经超过了三星，随着台积电生产更多先进制程芯片和提高资本支出，这一差距正在扩大。台积电还在台湾建设测试生产设施，以确保一定水平的2nm良率。”

英特尔在本周二宣布将分别在2024年和2025年达到Intel 20A和Intel 18A节点。该公司在3月曾宣布重新进入全球芯片代工市场，其精密加工工艺技术当前在7nm阶段。

韩媒Businesskorea认为，三星正陷入夹在台积电和英特尔之间的两难困境。

结语：芯片代工持续先进制程之争

作为芯片代工厂的龙头，台积电和三星一直在持续竞争，从2019年、2020年先后快速采用EUV光刻技术来突破7nm工艺，在2020年均实现量产5nm芯片，然后都开始计划量产3nm芯片。

为了保持其市场优势和市场占有率，芯片代工厂一边忙着扩增成熟制程工艺的产能，一边忙着推动先进制程工艺升级和投产，竞争激烈。