采用双堆栈技术，三星第七代V NAND闪存可达176层

根据韩媒报道，三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展，第七代V NAND闪存芯片将达到176层，并将于明年4月实现量产。这将是业界首个高于160层的高级别的NAND闪存芯片，三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距，维持自2002年以来一直在全球NAND闪存市场中排名第一的地位。

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相比于上一代闪存，第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。三星的第六代NAND闪存是128层，于今年6月开始量产，而第七代闪存将达到176层，尽管并没有达到其最初计划的192层，但依然有着明显的进步。

据悉，第七代NAND闪存采用了“双堆栈”技术，这是一种可以将通孔分成两部分的，以便电流通过电路的方法。过去的单堆栈只能有一部分通孔，随着堆栈层数的增多，工艺也随之改进。

今年6月，三星宣布将投资约9万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的2号线建设新的NAND闪存芯片生产设施，以扩大NAND闪存的生产线，并预计该设施将于2021年下半年投入运营。三星表示，将在新地点大规模生产尖端NAND存储芯片，可能比原计划更早开始量产第七代NAND闪存芯片。

与ARAM相比，NAND闪存是更具代表性的存储芯片，且其存储容量随着堆栈数的郑家而增加，因此堆栈的层数也被视为NAND闪存的核心竞争力。

三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量，引领高级NAND闪存的开发。

自2006年以来，三星一直研究3D NAND闪存。在存储芯片的发展过程中，随着存储数据的单元变小，当线宽小于10nm时，便容易受到单元同单元之间的干扰，而3D NAND闪存能够垂直放置在平面中排列的单元，以减少单元间的干扰。这是一种通过像公寓一样垂直堆叠现有平面结构NAND来增加存储容量的方法，在业界被称之为3D NAND闪存，被三星独立命名为V NAND。

2013年，三星成功量产了世界上第一个三维单元结构的V NAND闪存，从而改变了技术范式。当时许多人对V NAND闪存的商业化表示怀疑，不过现在所有的存储芯片公司都在展开激烈的3D NAND闪存竞争。长江存储的128层3D NAND闪存已于今年宣布量产，英特尔也有今年发布了144层3D NAND闪存，SK海力士目前处于176 4D NAND研究阶段，此外还有西部数据（Western Digital）和铠侠（Kioxia）等公司也在竞争之列。

在第一代（24层）V NAND闪存商业化之后，三星持续增加堆栈层，目前已经发展到第二代（32层）、第三代（48层）、第四代（64/72层）、第五代（92/96层）和第六代（128层）。通常更新一代，需要1到2年时间。

三星于去年8月完成128层V NAND闪存的开发，并实现量产。当时，三星宣布已经向全球PC公司提供了基于第六代NAND闪存的企业PC固态驱动器（SSD）。

在NAND闪存市场上，三星一直业界领先。去年，三星以165.17亿美元的销售额占据全球市场的35.9%，在NAND闪存市场中排名第一，持续自2002年以来的领先地位。

本文编译自：http://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=202009071240410200102827&lcode=00

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