MOS
MOS电路-栅源电压保护，漏栅电容影响
栅极-源极尖峰电压保护 在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管，可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但是，齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。 最佳…
7N65-ASEMI高压MOS管7N65
编辑：ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：1.…
7N60-ASEMI高压MOS管7N60
编辑：ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1…