台积电公布先进CoWoS封装技术路线图 2023年结合小芯片与HBM3

预计 TSMC 将于今年晚些时候宣布第 5 代 CoWoS 封装技术，其有望将晶体管数量翻至第 3 代封装解决方案的 20 倍。

新封装将增加 3 倍的中介层面积、8 个 HBM2e 堆栈（容量高达 128 GB）、全新的硅通孔（TSV）解决方案、厚 CU 互连、以及新的 TIM（Lid 封装）方案。

其中最让我们关注的，莫过于使用 TSMC 第 5 代 CoWoS 封装工艺的 AMD MI200“Aldebaran”GPU 。

作为 AMD 首款多芯片（MCM）设计的 GPU，其采用了 CDNA 2 核心架构，预计可实现一些疯狂的规格参数。

WCCFTech 指出，AMD“Aldebaran”GPU 或拥有超过 16000 个内核、以及高达 128GB 的 HBM2E 内存容量。

此外英伟达的 Hopper GPU 竞品也使用了 MCM 小芯片架构，且同样可能交由 TSMC 代工。

至于第 5 代 CoWoS 封装技术能够为英伟达 Hopper GPU 带来怎样的惊喜，还请耐心等到 2022 年揭晓。

接着，TSMC 将升级到第 6 代 CoWoS 封装工艺，特点是能够集成更多的小芯片和 DRAM 内存。

TSMC 尚未敲定第 6 代 CoWoS 的最终工艺，但预计可在同一封装内容纳多达 8 组 HBM3 内存和 2 组计算小芯片。

TSMC 还将以 Metal Tim 的形式，提供最新的 SOC 散热解决方案。

与初代 Gel Tim 方案相比，Metal Tim 有望将封装热阻降低到前者的 0.15 倍。

最后，AMD CNDA 3（MI300）和英伟达 Ampere 的下下一代，都有望采用 TSMC 的 N3 工艺节点进行制造。