资料显示，United Silicon Carbide的产品组合现已涵盖80多种SiC FET、JFET和肖特基二极管器件。SiC是第三代半导体的重要代表，相较于传统硅材料能够明显改善系统效率，包括EV、EV充电和能源基础设施。
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