IBM和三星芯片新架构:性能提升两倍,功耗下降85%

12月15日,IBM 透露它和三星的合作在半导体设计上取得了“突破”,提出了一种全新芯片制造工艺 VTFET。

VTFET,即垂直传输场效应晶体管,旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET (鳍式场效应晶体管)技术,并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。相比 FinFET,VTFET能让晶体管使用更大的电流,同时减少了能源浪费,可以有两倍性能提升,或者减少85%能耗。

(via IBM)

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