台积电、英特尔高管预测 3D 化将带动芯片性能提升，半导体设备和材料迎新商机

据日经中文网报道，在 12 月 15 日于日本东京都内开幕的半导体展会“Semicon Japan”上，台积电（TSMC）和美国英特尔的高管发表演讲，预测称 3D 化将带动半导体性能提升。着眼新制造技术的开发，设备和材料厂商将发挥更加重要的作用。

“在 3D 封装生态系统的构建上，基板、封装等设备和材料将越来越重要”，在日本茨城县筑波市设置了研发基地的台积电总监 Chris Chen 这样强调。3D 化是在同一基板上集成更多芯片的技术。该基地将开发用树脂等封装半导体并将其配备在基板上的技术。

以台积电为代表的半导体大企业之所以大力研发 3D 封装技术，是因为仅靠传统的技术开发，已经难以满足以智能手机为代表的最终产品所要求的高性能。

此前对半导体性能提高起到重要作用的是缩小电子电路面积的“微细化”技术。但目前电路线宽已经微细化至几纳米，开发难度越来越高。因此，除了在一个芯片上集成微小电路之外，在同一基板上集成更多芯片的技术也成为关键。

当天发表演讲的英特尔高管 Peng Bai 表示“封装技术的升级换代是发挥摩尔定律性能的重要因素”。呼吁日本的设备和材料厂商加紧投资并与英特尔展开合作。

值得一提的是，AMD 已成为 3D 封装先锋。今年 11 月，超微 (AMD-US) 首颗基于 3D Chiplet 技术的资料中心 CPU 正式亮相，藉由台积电 (2330-TW) 先进封装制程，击败英特尔 (INTC-US) 赢得 Meta (FB-US) 订单，业界传出，此次先进封装制程除了前端继续采用与晶圆制程相近的设备外，湿制程阶段则由弘塑 (3131-TW)、辛耘 (3583-TW) 分别与信纮科 (6667-TW) 搭配，组成套装设备，直接供应台积电，扮演台湾在地供应链要角。

此外，日本首相岸田文雄在本次会议上发表视频致辞表示，为了加强日本国内的半导体制造体制，“（日本）政府和民间将实施合计超过 1 万 4000 亿日元的大胆投资”。