SDRAM的新变体是 DDR1、DDR2 和 DDR3。随机存取存储器DDR和SDRM都是用于计算机的存储器集成电路。
传统上，动态随机存取存储器 (DRAM) 具有关联的异步接口，这表明它可以尽可能快地响应变化，以加快输入速度。每个 SDRAM 和 DDR RAM 都有一个同步接口，这意味着它在响应调节输入之前等待时钟信号，从而与计算机的系统总线同步。
这允许硅芯片拥有比关联异步 DRAM 更先进的操作模式。这可能也是为什么 SDRAM 和 DDR RAM 的速度以速率而不是纳秒 (ns) 为单位的原因。
SDRAM通常指的是初始代同步 DRAM，它比最终代 (DDR) 慢，因为每个时钟周期仅传输 1 个字的知识(单数据速率)。
第二代同步 DRAM 内存芯片是 DDR(有时称为 DDR1)。DDR 代表双倍速率，这表明芯片每个时钟周期读取或写入 2 个字的知识。DDR 接口通过在时钟信号的每个上升沿和下降沿读取和写入信息来实现这一点。此外，SDR 接口时间安排的一些细微变化是明智的，因此提供电压从 3.3 V 降低到 2.5 V。因此，DDR SDRAM 不能向后兼容 SDR SDRAM。
下面是DDR和SDRAM的比较区别：
| SDRAM | DDR |
|---|---|
| 它指的是同步动态随机存取存储器 | 它指的是双倍数据速率 SDRAM |
| SDRAM 有 168 个引脚，连接器上有两个槽口 | DDR 有 184 个引脚，连接器上有一个槽口。 |
| SDRAM 于 1997 年发布 | DDR RAM 于 2000 年发布 |
| 与 DDR 相比，SDRAM 的速度较低 | DDR 传输数据的速度大约是 SDRAM 的两倍。 |
| 工作电压为 3.3 伏，工作电压为 2.5 伏(标准)； | 1.8 V(低电压) |
| SDRAM 速度被认为是 66 MHz、100 MHz、133 MHz | DDR 工作速度为 200 MHz、266 MHz、333 MHz、400 MHz |
| SDRAM 的内部速率范围是 (100 Mhz-166 Mhz) | DDR 的内部速率范围是 (133 Mhz – 200 Mhz) |
| SDRAM 的数据速率为 (0.8-1.3) GB/s | DDR 的数据速率为 (2.1-3.2) |
| SDRAM 预取时间为 1ns | DDR 预取时间为 2ns |
| SDRAM 正在等待上一个命令的完成，以便能够进行另一个读/写操作。 | DDR 不等待上一个命令的完成才能进行另一个读/写操作。 |
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