硬件相关基础知识0（EEPROM和flash的区别）

需求说明：因视频处理模块需要根据查找表的数值确定位置信息，所以需要存储设备将UART接收的数据进行存储以备下次上电直接读取使用。查阅相关资料整理如下。

第一部分以MCU应用角度分析EEPROM和FLASH的区别，可以从感性上认识两者的用途和区别

第二部分从工艺，构架等角度对EEPROM和FLASH进行分析

第三部分是我自己针对查阅资料的一个小结

第一部分

来自：http://zhidao.baidu.com/link?url=ae9wpiNfxhAyz20S24xSf50eML0uSwzvf9Ellrb70N3RXd_V0DZDPYWF2Z3dreq5WHOhr31rNdtUVRDrxvkVLa

问：单片机里EEPROM与flash有什么区别？在程序中的用处有什么大的区别吗？ 解答一：flash是用来存储代码的，在运行过程中不能改；EEPROM是用来保存用户数据， 运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在 运行中改为6：00，这是保存在EEPROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要 重新调整到6：00. 解答二：两者都是非易失性存储器FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作 方法不同FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作， 二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容 量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比 EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失 性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构， 现在已基本上停产了。一般来说eeprom中存放开机是用到的参数，不可丢失的变 量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。 解答三：一般来说flash是用来放程序的，可以称之为程序存储器使用的时候，我们是把 所编写的程序烧录到flash中去。而EEPROM 是用来存放掉电后不希望丢失的数据 的，可以理解为数据存储器。当然flash也可以存放数据，我们可以把不发生改变 的数据，以代码的形式存放到flash中。而偶尔会修改，掉电还不希望其丢失的数 据存放到EEPROM中。 解答四：eeprom可位操作目前容量最大的好像256K，串行并行都有。flash都是块操作，容 量很大很大，我现在用的是64M的，串行并行都有。它俩都掉电保存。 解答五：都能掉电储存,制作工艺不一样,在体积相等情况下FLASH的容量大。一般EEPROM能擦 写10万次以上,而FLASH一般为1万次以下，各有优缺点。所以档次稍微高的单片机两 样都有，EEPROM用于存储经常修改的一些参数，如用户的一些设定值，而FLASH用于 存储程序。

第二部分

来自：http://blog..net/yuanlulu/article/details/6163106 标题： EEPROM和flash的区别 之前对各种存储器一直不太清楚，今天总结一下。 存储器分为两大类：ram和rom。 ram就不讲了，今天主要讨论rom。 rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次， 要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM， 每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要 加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几 次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改rom 中的内容了。 EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。 是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。 狭义的EEPROM： 这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉 电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM 都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。 flash: flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫 它flash。flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了 成本。上M的rom一般都是flash。 flash分为nor flash和nand flash。nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。 nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页） 由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。 使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。 因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

第三部分 应用方向：EEPROM -> 数据存储器 FLASH -> 程序存储器 存储容量：EEPROM -> ST可以提供业内最大的存储容量，2 Mbits NOR FLASH(数据线和地址线分开) -> 容量一般为1~16M用于单片机代码存储 NAND FLASH(数据线和地址线不分开) -> 最小的是8M最大的现在听说有90G还可 能更大，一般用在大容量存储方面 读写速度：EEPROM -> 一般为IIC总线方式(400kbps) FLASH -> 一般为SPI总线方式(我使用过45Mbps) 总结 ：通过分析,最终需用存储芯片应该是NOR FLASH.