三星在财报电话会议中表示该公司目前整体运营状态良好,其内存业务部门持续增长为该公司贡献非常多的利润。
特别是在高端服务器以及高性能计算市场上,三星推出的内存产品销量稳定增长也凸显该市场后续具有极高潜力。
这也是三星持续在此类业务进行研发并推动高密度内存模组的原因 , 比如最近三星推出的512GB DDR5内存模组。
无论从哪个角度来说这都是真正的高容量解决方案,尤其是服务器和数据中心可以通过这些高容量内存满足需求。
但512GB DDR5模组并非终点:
在财报电话会议中三星还透露该公司计划在不久的将来通过生产24Gb DRAM芯片继续推高内存的超高密度容量。
使用此类芯片可以让三星打造容量为768GB的DDR5内存模组,预计到秋季三星将会为英特尔平台提供样品测试。
这些内存模组将使用14nm节点制造,可以满足云计算平台的容量和性能要求 、激发高密度内存模组的趋势等等。
具体时间来说三星可能会在 10月27日 英特尔创新活动中推出新产品,然后将适配的硬件交给有需要的企业测试。
另外768GB DDR5模组还可能使用三星 S2FPD02 电源管理集成电路 , 与前代产品相比有望实现91%的电源效率。
下图是512GB DDR5内存模组:
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