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早些时候,台积电 Fab 18 工厂遭遇了供应商的气体污染。在努力追赶预设进度的同时,其停车场又被从附近建筑工地排出的水给淹没。
庆幸的是,地方已澄清遭水围困的仅为停车场区域,3nm 设施的施工现场并未受到太大影响,且南科园区仍保持着正常的生产运营。
据联合新闻网(UDN)早前报道,台积电已于昨日开始在 Fab 18 工厂内安装 3nm 生产设备,但台南南科工厂受到的气体污染,正对其生产造成威胁。
按照该公司披露的八个阶段的说法,Fab 18 工厂的前四个阶段,主要基于 5nm 工艺节点,后续则会转型 3nm 芯片制造。
TWINSCAN NXE: 3400 的 EUV 光源(图 via ASML)
目前台积电或正处于第 4~8 阶段,一旦第 4 阶段完成,该公司的 5nm 产能将大幅增长。至于 3nm 阶段的生产状态报告,目前暂不得而知。
有人认为当前 5nm 阶段正在建设过程中,而另一些人则认为南科园区内已开始 3nm 生产设施的部署。
具体说来是,该区域属于南科厂区的第 5~6 期,也是其管理的四条 3nm 生产线中的第一条。
然而传闻并未透露正在 Fab 18 工厂安装的设备将用于芯片生产或其它目的,考虑到距离台积电正式投产 3nm 还有不到一年的时间,我们猜测相关设备不大可能这么早被送入南科工厂。
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